基本信息
| 标准名称： | 硅多晶真空区熔基硼检验方法 |
| 英文名称： | Polycrystalline silicon; Examination method; Vacuum zone-melting on boron |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料化学分析 |
| 替代情况： | 被GB/T 4060-2007替代 |
| 发布部门： | 国家标准局 |
| 发布日期： | 1983-01-02 |
| 实施日期： | 1984-01-02 |
| 首发日期： | 1983-12-20 |
| 作废日期： | 2008-02-01 |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 起草单位： | 峨嵋半导体材料厂 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 3页 |
适用范围
本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅氢还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒。
前言
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引用标准
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法 冶金 金属材料试验 金属材料化学分析